瑞士洛桑聯(lián)邦理工學院(EPFL)納米電子學與結(jié)構(gòu)(LANES)實驗室1月30日在《自然*納米技術(shù)》發(fā)表研究論文稱，用一種名為輝鉬(MoS2)的單分子層材料制造半導體，或用來制造更小、能效更高的電子芯片，在下一代納米電子設備領(lǐng)域，將比傳統(tǒng)的硅材料或富勒烯更有優(yōu)勢。時隔半個多月后，在中國的A股市場上掀起了輝鉬概念股的浪潮，成為A股震蕩行情中的耀眼明星，萬好萬家 (600576：25.41，+2.31，↑10)、金鉬股份 (601958：28.18，+2.03，↑7.76)、宏達股份 (600331：17.06，+0.88，↑5.44)等輝鉬概念股在短短三個交易日里的累計漲幅均超10%。

　　輝鉬是鉬的二硫化物，是最重要的鉬礦資源，目前主要應用于合金鋼或潤滑油添加劑中，同時因輝鉬礦中還富含錸，因此它還是提煉錸的最主要礦物

　　但輝鉬在電子領(lǐng)域尚未得到廣泛的研究，洛桑聯(lián)邦理工學院教授安德列斯·凱斯表示，輝鉬是一種二維材料，非常薄，很容易用在納米技術(shù)上，在制造微型晶體管、發(fā)光二極管(LEDs)、太陽能電池等方面有很大潛力。同硅相比，輝鉬在電子應用領(lǐng)域相對比于半導體硅材料有三個明顯的優(yōu)勢：一是輝鉬體積更小，輝鉬單分子層是二維的，而硅是一種三維材料;二是輝鉬比硅的能耗更低，在半導體中，輝鉬因有“帶隙”，可以用單層輝鉬制造間帶通道場效應晶體管，且在穩(wěn)定狀態(tài)下耗能比傳統(tǒng)硅晶體管小10萬倍;三是在光電子學和能量捕獲應用領(lǐng)域，單層輝鉬還能與富勒烯共同使用，形成優(yōu)勢互補。而輝鉬與石墨烯相比，也因為有“帶隙”，在電子導電性能以及能耗方面也比石墨烯更具有優(yōu)勢。

　　正是輝鉬具有這些優(yōu)勢特性，因此輝鉬在半導體領(lǐng)域的應用將比半導體硅材料和石墨烯更具有性能優(yōu)勢也更節(jié)能，因此也更具有經(jīng)濟價值。如果輝鉬應用于半導體方面能夠開發(fā)出低成本易加工的半導體材料，輝鉬將會是下一代非常優(yōu)良的半導體材料，在制造超小型晶體管、發(fā)光二極管和太陽能電池方面具有很廣闊的前景,將對電子計算機、太陽能利用和軍事科技等領(lǐng)域的發(fā)展將產(chǎn)生極大的推進作用。

　　目前半導體硅材料在電子元器件、計算機硬件制造以及光伏太陽能發(fā)電等領(lǐng)域都得到了大量而又非常廣泛的應用，目前全球范圍內(nèi)，半導體硅材料產(chǎn)業(yè)規(guī)模已超萬億元，尤其是多晶硅的應用。僅僅在中國，多晶硅的生產(chǎn)就已超億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。

　　如果輝鉬在半導體應用方面可以部分甚至全部替代硅材料在半導體的應用，無疑，輝鉬半導體材料的生產(chǎn)制造及加工也必將能夠形成上千億甚至過萬億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。一旦輝鉬的生產(chǎn)加工技術(shù)趨于成熟，必將帶動下游輝鉬加工行業(yè)的發(fā)展，進而帶動對輝鉬礦產(chǎn)及輝鉬制成品的需求，那么這必將大大的提升輝鉬的經(jīng)濟價值。而目前輝鉬在工業(yè)方面的應用主要是用于金屬合金生產(chǎn)以及機械潤滑劑，其價值比較低，目前市場上的鉬金屬的市場價一般為300多元/公斤，相比于目前多晶硅市場價110多元/公斤(折合人民幣約720多元/公斤)來說，輝鉬在半導體應用領(lǐng)域的價值還有很大的提升空間。

　　輝鉬礦是最重要的鉬礦資源，中國鉬礦儲量非常豐富,鉬金屬儲量僅次于美國居世界第2位。