近日，牛津儀器公司的原子層沉積技術(shù)(ALD)和2D材料專(zhuān)家與艾恩德霍芬理工大學(xué)合作開(kāi)發(fā)了用于納米器件的二維過(guò)渡金屬硫化物(2D TMDS)原子層沉積(ALD) 系統(tǒng)——FlexAL-2D ALD系統(tǒng)。
 

 

　　FlexAL-2D ALD系統(tǒng)可在與CMOS兼容的溫度下生長(zhǎng)2D材料，并可在大面積(200mm晶圓)上對(duì)厚度進(jìn)行精確的數(shù)字控制。該系統(tǒng)的其他特征功能包括MoS2的自限制ALD生長(zhǎng)、基礎(chǔ)平面或邊緣平面取向的可調(diào)形態(tài)控制，以創(chuàng)建先進(jìn)的2D器件結(jié)構(gòu)。
 

　　據(jù)該公司介紹，F(xiàn)lexAL-2D ALD系統(tǒng)可提供較寬的參數(shù)空間，使2D TMDS的生長(zhǎng)溫度比CVD爐中更低。
 

　　埃因霍溫理工大學(xué)研究人員在今年七月的ALD會(huì)議上，首先介紹了使用ALD在450℃和低溫條件下生長(zhǎng)二維MoS2材料的情況。他們展示了如何在CMOS兼容的SiO2 / Si襯底上采用等離子體增強(qiáng)型ALD技術(shù)合成二維MoS2膜。這些二維MoS2膜具有可調(diào)形態(tài)(平面和垂直立體納米級(jí)結(jié)構(gòu))。雖然3D鰭結(jié)構(gòu)是諸如水分解等催化應(yīng)用的理想結(jié)構(gòu)，但2D平面形態(tài)在納米電子學(xué)中具有潛在的應(yīng)用。
 

　　牛津儀器等離子技術(shù)公司的ALD產(chǎn)品經(jīng)理Chris Hodson對(duì)這項(xiàng)研究感到高興：“艾恩德霍芬理工大學(xué)Bol博士及等離子體和材料處理(PMP)研究組在正在將ALD研究推向新的應(yīng)用領(lǐng)域。2D材料是一個(gè)熱門(mén)話題，利用ALD允許其在較低溫度下生長(zhǎng)，并且利用ALD沉積和其他加工方法在200毫米尺寸上合成2D材料，提供了新的能力與許多可能性?！?br/> 

　　Ageeth Bol說(shuō)：“研究人員對(duì)相對(duì)較低的溫度特別感興趣。對(duì)于CVD工藝，通常需要超過(guò)800℃，這對(duì)于半導(dǎo)體的應(yīng)用來(lái)說(shuō)通常是致命的，因?yàn)楦邷貢?huì)增加原子的擴(kuò)散，這使得它們更難以到達(dá)正確的位置。我們希望有一個(gè)在較低溫度下生產(chǎn)高品質(zhì)材料的工藝。這對(duì)于我正在處理的二維異質(zhì)層是特別重要的，因?yàn)樵诟偷臏囟认?，層之間的原子擴(kuò)散將減少?！?br/>