在真空燒結的實施過程中，基片金屬化、焊料、清洗工藝、芯片的保護、芯片表面的壓力設置、多芯片一次燒結的實現(xiàn)方式和燒結工藝參數(shù)等都是影響燒結質量的關鍵因素，因此必須得到充分重視，并采取相應的措施，加以嚴格的控制。

　　在功率混合集成電路中，功率芯片的組裝往往在基片上進行，基片金屬化所使用的材料的可焊性、附著力、表面粗糙度和鍍層均勻性等對燒結質量的影響很大，如果存在以上問題，會導致焊料流淌不均勻、芯片的燒結面積不足、剪切強度偏小和表面起皮起泡等。

　　另外，基片的制作特別是厚膜基片的制作氣氛為干凈空氣，而功率芯片燒結工藝若為高溫的氫氣或真空氣氛，將可能使厚膜基片性能退化，如附著力下降，膜元件參數(shù)漂移，嚴重時將使成膜基片不合格。

　　因此，應根據(jù)基片金屬化材料和芯片背面金屬化材料的特性選擇合適的焊料和燒結曲線?；谕度胧褂们斑€必須按相應的要求進行評價考核，主要包括可焊性試驗、附著力試驗和鍵合強度的試驗等，并且要進行首件試燒效果的考核，合格后方可投入批量生產(chǎn)。