詳細(xì)說明
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SI2302DS規(guī)格
FET 類型:N 溝道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 20V
電流連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) :2.5A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) :85 毫歐 @ 3.6A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) :650mV @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) :10nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值): 230pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值):830mW(Tc)
工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23)
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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